Superpraktiske tips: Inspeksjonskrav og metoder for elektroniske komponenter----Halvlederenheter (2-What Is A Triode 2）

https://www.kaichuanpower.com/

Felteffektrør: MOS felteffektrør er et metall-oksid-halvleder felteffektrør, den engelske forkortelsen er MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), som er en isolert porttype.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT tar forskjellige verdier, ledningsevnen til inversjonslaget vil endres, og forskjellige IDS vil bli generert under samme VDS, og realiserer kontrollen av gate-kildespenningen VGS på kilde-drain-strømmen IDS.
Felteffektklassifisering: Felteffekttransistorer inkluderer hovedsakelig kryssfelteffekttransistorer (JFET) og felteffekttransistorer med isolert port (IGFET). Substratet (B) til den isolerte portfelteffekttransistoren er koblet til kilden (S). Dens tre poler er porten (G), avløpet (D) og kilden (S). Transistorer er delt inn i NPN- og PNP-transistorer, og deres tre poler er base (b), kollektor (c) og emitter (e). G-, D- og S-polene til felteffekttransistoren har lignende funksjoner som b-, c- og e-polene til transistoren. Forskjellen mellom effekttransistorer av isolert porttype og felteffekttransistorer av krysstype er at deres ledende mekanismer og strømstyringsprinsipper er fundamentalt forskjellige. Rør av koblingstype bruker endringen i bredden til utarmingsområdet for å endre bredden på den ledende kanalen for å kontrollere avløpsstrømmen. Isolasjon Gate-felteffekttransistorer bruker den elektriske felteffekten på halvlederoverflaten og mengden elektrisk indusert ladning for å endre den ledende kanalen for å kontrollere strømmen. Forskjellen i egenskapene deres gjør at kryssfelteffekttransistorer ofte brukes i inngangstrinnet (pre-stage) til effektforsterkere, mens isolerte gate-felteffekttransistorer brukes i slutttrinnet (utgangstrinnet) til effektforsterkere. Arbeidsprinsippet til felteffekttransistoren er det samme som trioden, bortsett fra at en av dem er en spenningsstyrt komponent og den andre er en strømstyrt komponent. Felteffekttransistoren har bare ett PN-kryss, som vist i figur 1-1